UWB uygulamasına özgü SiGe BiCMOS karıştırıcı tasarımı=design and implementation of SiGe-BiCMOS mixer for UWB applications

Official URL: http://ieeexplore.ieee.org/iel5/11023/34756/01659889.pdf?tp=&arnumber=1659889&isnumber=34756

Özet: Bu makalede, AMS 0.35 ´m SiGe BiCMOS teknolojisi kullanılarak, doğrudan çevirmeli UWB uygulamalarına uygun alıcı yapıları için tasarlanmış 5GHz frekans bandında çalışan tümleşik devre karıştırıcı tasarımı, anlatılmaktadır. Karıştırıcı tasarımı için uygun teknolojinin belirlenmesi ilk adım olarak seçilmiş ve çalışma frekansı olan 5 GHz frekansı için, düşük gürültü seviyesine ve ucuz maliyete sahip SiGe teknolojisi tercih edilmiştir. Devre tasarımı yüksek kazanç, düşük gürültü ve düşük güç tüketimi belirtimleri dikkate alınarak gerçekleştirilmiştir. Devrenin tüm simülasyonları, Cadence® SpectreRF simülatörü kullanılarak gerçeklenmiştir. Devre, 5GHz frekans bandında, 11 dB kazanç ve 5 dB gürültü sayısına sahiptir. 1 dB bastırma noktası -14 dBm olan devrenin, giriş üçüncü derece kesişim noktası (IIP3) -8.9 dB giriş gücü seviyesindedir. Devre, 2.5 V besleme gerilimi altında, 15 mW güç harcamaktadır.{|}This paper presents the design of UWB SiGe BiCMOS mixer block for direct-conversion type transceiver architectures which optimized for WLAN applications in the frequency range of 5 GHz using AMS 0.35 ´m SiGe BiCMOS technology. High gain, low noise figure (NF) and low power dissipation are the main considerations for optimizations. The simulations are performed using Cadence® SpectreRF environment. The simulation results shows, 11 dB gain, 5 dB NF and - 14 dBm 1-dB compression point. The circuit consumes only 15 mW under 2.5 V supply voltage.