title   
  

IEEE 802.11a uygulamasına özgü geniş bantlı RF-MEM devre elemanlı LNA tasarımı=Design and implementation of a wideband LNA with compatible RF-MEMS component for IEEE 802.11a applications

Kaynak, Mehmet and Gürbüz, Yaşar (2006) IEEE 802.11a uygulamasına özgü geniş bantlı RF-MEM devre elemanlı LNA tasarımı=Design and implementation of a wideband LNA with compatible RF-MEMS component for IEEE 802.11a applications. In: Signal Processing and Communications Applications, 2006 IEEE 14th , Antalya

[img]PDF - Repository staff only - Requires a PDF viewer such as GSview, Xpdf or Adobe Acrobat Reader
455Kb

Official URL: http://ieeexplore.ieee.org/iel5/11023/34756/01659889.pdf?tp=&arnumber=1659889&isnumber=34756

Abstract

This paper presents a design methodology of a low noise and low power fully-integrated LNA, targeted to all the three bands of IEEE 802.11a WLAN applications in the 5-6 GHz band and using Austria Micro Systems (AMS) 0.35´m SiGe BiCMOS HBT technology. We emphasized in this paper the importance of parasitic component extraction through the use of electromagnetic simulations, which is usually ignored in the literature of similar works/research when reporting noise figure. Also, we show a method for improving the noise figure (NF) performance of the LNA using RF-MEMS-based inductors. Finally, we have obtained a SiGe HBT on-chip matched LNA, exhibiting NF of 2.75 dB, gain of >15dB, input return loss of < -15dB, output return loss of < -10dB. The circuit consumes only 10.6 mW under 3.3V supply voltage. The circuit die area is 595 × 925 ´m2, including measurement pads.{|}Özet: Bu makalede, Austria Micro Systems (AMS) 0.35´m SiGe BiCMOS HBT teknolojisi kullanılarak IEEE 802.11a protokolü için 56 GHz frekans bandında çalışan LNA geliştirimi anlatılmaktadır. Kırmık-içi endüktans tasarımının zorluğu ve günümüz teknolojilerinde gerçeklenen endüktans yapılarının performanslarının yeterli olmamasına çözüm olarak, RF-MEMS teknolojisi kullanılarak alternatif daha yüksek performanslı devreler oluşturulabileceği gösterilmiştir. Devrenin belirtilen frekans bandındaki, NF değeri 2.75 dB değerinin altında ve kazanç değeri 15 dB değerinin üzerinde olup, IEEE 802.11a uygulamasına oldukça uygundur. Ayrıca, devrenin giriş ve çıkış empedans uyumu yapılmış ve 50-Ω kaynak empedansına uygun hale getirilmiştir. Devre, şartsız olarak tüm frekans bandında lineerdir. Tasarlanan LNA yapısı, 595 × 925 ´m2’lik alana serilmiş olup, 3,3 V besleme gerilimi altında, sadece 10,6 mW güç harcamaktadır.

Item Type:Papers in Conference Proceedings
Subjects:T Technology > TK Electrical engineering. Electronics Nuclear engineering
ID Code:1161
Deposited By:Mehmet Kartal
Deposited On:19 Dec 2006 02:00
Last Modified:25 May 2011 14:22

Repository Staff Only: item control page